【导读】瞬态热阻抗用于权衡器件被施加脉冲功率时的体现,它选择了器件在低占空比和低频脉冲负载下的体现模式,因此十分关键。
IC 封装有许多热目的,例如 θ和 Ψ。这些参数使稳态下的结温预算变得十分便捷。本文将探讨热瞬态行为以及热阻抗的相关基本切实。
热参数概述
倒装芯片封装的热个性由参数 θ、Ψ和 Ψ表征。θ是结至环境热阻(以 °C/W 为单位),它是系统级参数,在很大水平上取决于系统属性,如装置该器件的 PCB 设计及规划。其中,电路板被当作焊接到器件引线上的散热器。对人造对传达热而言,90% 以上的热量都由电路板分发,而不是从封装外表分发。 θ可经过公式(1)来计算:
其中,T为结温(°C),T为环境温度(°C),P为器件的散热量(W)。
Ψ是表征 T与封装顶部温度之间温度变动的个性参数(以 °C/W 为单位)。由于从芯片流向封装顶部的热量未知,所以 Ψ并不是真正的结至顶部热阻,但电路设计人员常假定它是器件的总功率。虽然该假定是有效,但 Ψ仍是一个有用的参数,由于其个性与 IC 封装的运行环境极为相似。例如,较薄的封装具备较小的 Ψ值。
但要留意,Ψ会依据电路板结构和气流条件的不同而略有不同。应用公式(2)可预算 Ψ:
而有了 Ψ,系统设计人员就可以依据测得的电路板温度来计算器件的结温。Ψ目的应凑近 θ,由于 PCB 已耗散了大局部的器件热量。T的计算公式(3)如下:
其中,T是凑近封装裸焊盘处的电路板温度(°C)。 图 1 解释了什么是结至环境热阻。
图 1: 结至环境热阻
经过降低 PCB 散热平面的电阻可以成功较低的 θ。以传导为关键传热方法(这象征着对流冷却法受限)的运行中,PCB 的电源平面面积对 θ的影响最为清楚。
热个性
在电机驱动器等运行中,高功率脉冲宽度都限度在几十或几百毫秒以内,这象征着设计人员必定注重热容的影响。假设热容足够大,它可以将结温控制在器件的额外值范畴之内,即使存在高耗散峰值也是如此。因此,失当的散热治理可提高器件的性能与牢靠性。
热量的传递有三种模式:传导、对流和辐射。
传导
传导是一种关键的传热模式,由于最终热量是经过外外表积分发的。经过传导,热量才干散布到所需的外表。经过传导启动的热传递遵照傅立叶定律,该定律指出,经过资料的热流率与资料的横截面积以及资料两端的温差成正比;相反,热流与资料的厚度成正比。有些资料(例如铜)相比其余资料(例如 FR4)导热更快。表 1 显示了不同资料的导热系数 (K)。这些常常出现的资料具备清楚不同的导热系数。
表 1: 不同资料的传导率
对流
对流是将热量从资料外表传递到空气中的方法。温升是功率耗散形成的结果,它与外表积和热传递系数 (h) 成正比。h 则是风速以及电路板与环境空气之间温差的函数。
辐射
热辐射包含经过电磁波传递热量。其热流率与外表积成正比,与辐射元件(例如电路板、组件)温度的四次方成正比。
经过传导启动热传递最适于高功率运行中的半导体。作为 IC 封装的热性能的规范形容,θ在脉冲运行中作用不大,甚至还会造成冗余或高老本的散热设计。
但经过联合热阻和热容,可以对器件的完整热阻抗启动建模。
热容 (C) 是权衡组件积热才干的目的,它相似于电容积攒电荷的模式。关于给定结构的元素,C取决于比热 (c)、体积 (V) 和密度 (d)。其计算公式 (4) 如下(以 J/°C 为单位):
一个特定运行的热行为(包含有源器件、封装、PCB 和外部环境)在电气域可类比为一串 RC 单元,每个单元都有一个特色期间常数 (τ)。 该常数可用公式(5)计算:
图 2 经过一个简化的电气模型展现了每个单元如何影响封装器件的瞬态热阻抗。
图 2: 简化的等效热电路
脉冲功率操作
当功率器件接受脉冲负载时,它可以允许更高的峰值功率耗散。功率封装具备必定的热容量,这象征着即使器件消耗过多功率,也不会立刻到达临界 T。关于间歇操作,功率耗散的限度或者会延伸。延伸的期间取决于操作周期的继续期间(也称为脉冲继续期间)和操作出现的频率(也称为占空因数)。
如图 3 所示,器件一旦上电,芯片会立刻开局升温。
图 3: 芯片升温/冷却:单脉冲
假设功率继续耗散,则热量发生与流失之间会到达平衡,从而稳固 T。其中局部热能由器件的热容存储。稳固的条件则由与晶体管及其热环境相关的热阻选择。
当功率中止耗散,器件就会逐渐冷却,升平和冷却的法令是相反的(见图 3)。然而,假设功率耗散在晶体管温度稳固之前中止,则 T的峰值将低于相反水平的继续功率耗散所到达的值(见图 3)。
假设第二个脉冲与第一个脉冲相反,则器件在第二个脉冲完结时,其峰值温度会高于第一个脉冲完结时的峰值温度。脉冲始终重复,直到温度到达一个新的稳固值(见图 4)。在这些稳固条件下,器件温度会在平均值上下动摇。
图 4: 芯片升温/冷却:重复脉冲
假设一系列脉冲后的结温过高(例如 T> 125°C),则器件的电气性能和预期寿命或者会降低。这种状况或者出当初具备低占空比的高功率脉冲中,即使其平均功率低于器件的直流额外值也是如此。
图 5 显示了一个较短的单功率脉冲。
图 5: 较短的单功率脉冲
随着脉冲继续期间参与,T在脉冲完结时凑近一个稳固值(见图 6)。
图 6: 较长的单功率脉冲
热阻抗(Z)反映了限时功率脉冲带来的温升。该参数提供了一种便捷的方法来预算器件在瞬态功率耗散条件下的结温。
瞬态热阻抗趋于等于延续功率耗散的热阻,可经过公式 (6) 启动预算:
图 7: 瞬态阻抗 Z与期间的相关
随着重复率变小,结逐渐在脉冲之间齐全冷却,因此每个脉冲都可以独自处置。
关于功率封装,瞬态热效应会在大概 0.1 至 100 秒内隐没。这个时长取决于芯片大小、封装类型和尺寸。此外,PCB 叠层和规划对其影响也很大。
PCB 相当于一个散热器,为 IC 封装提供了将热量有效地传递到电路板及其相邻环境中的门路。因此,最大化封装电源和接地引脚所在的金属迹线面积,可有效提高热传递。
T和 P对封装的热性能影响不大。在这个期间内,继续期间过长的功率脉冲发生的效应与延续负载相似。
结语
结温会影响很多上班参数以及器件的上班寿命。设计高功率电路最大的应战就是确定一个器件能否能够允许相关运行的需求。
有效瞬态热阻受多种起因影响,包含覆铜面积与规划、相邻器件的热度、PCB 上相邻器件的热品质以及器件周围的气流。要准确预计温升,最好的方法是间接在运行电路中表征热阻抗。
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